- 高頻材料參數測試系統概述材料特性測試主要包括介電常數、損耗正切以及磁導率測量,對于用于射頻和微波電路的材料,準確的測量其高頻時的介電常數和損耗正切非常重要。其中有兩種測試方法極為重要,分離式介電諧振器(簡稱SPDR)法和波導法。)SPDR法可以精確的測量1到20GHz頻率范圍內單一頻點的介電常數,使用是德科技的網絡分析儀和多個頻點的SPDR諧振腔,即可準確表征材料在整個頻段的介電常數,即使損耗極低
- 半導體晶圓在片全自動測試系統隨著集成電路以及半導體工藝的發展,集成元器件的微小化和模塊化趨勢加快,對晶圓級測試提出了更高的要求。由于待測試樣品尺寸小、測試點多、連接繁瑣,因此在測試點多、測試參數多等條件限制下,單一的半導體參數分析儀器已經不能滿足這類器件的快速、準確測試要求。半導體晶圓自動測試系統能實現幾干甚至幾萬點的多參數自動切換測量,該系統主要由自動探針臺和控制分析軟件來搭配是德科技B1500
- 雪崩耐量測試系統概述雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。該測試系統主要用于IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試方法符合MIL-STD-750F.3470.測試電流200A,電壓4500V,雪崩能量可達 2000mJ。測試的電壓和電 流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采
- 晶浪涌電流測試系統概述X浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩態電流的峰值電流或過載電流。XH-3010型浪涌電流試驗臺的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。本系統通過電容放電產生電流波,結合上位機測試軟件,再通過調節不同的電感值來得到需要的電流脈寬,最后輸出測試要求的電流值,本系統包含浪涌電流測試單元,阻斷電壓單元,阻斷漏電流單元和計算機控制單元,計算機控
- 晶閘管門極阻斷特性測試儀概述X晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的V D R M、V R R M、I D R M、I R R M \ V G T、I G T、 I h以及二極管的V R R M、I R R M參數以及其它半導體器件的相關參數測試的專業設備。它的測試方法符合G B / J B / T 7 6 2 6 - 2 0 1 3標準。該測試臺具有漏電流自動保護功能, 過電壓自動保護功
- 晶閘管靜態參數測試系統概述XH-DBC-11型半導體器件靜態特性綜試驗臺的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。該測試系統是一款針對晶閘管及整流橋性能測試的專用設備, 該測試系統是一套高電壓、大電流的測試設備,集成度高,綜合測試參數多系統控制完全采用自動控制,可按測試員設定的程序進行自動測試;采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理,還能實時打印測試結果;可
- 晶閘管動態參數測試系統概述本設備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態電壓臨界上升率、通態峰值電壓、關斷時間、恢復電荷以及反向恢復電流和反向恢復時間的測量。本設備符合國家JB/T 7626-2013標準〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。<參數指標斷態電壓臨界上升率測試單元u斷態電壓測試范圍:500-4000V、分辨率、1V精度±5%;u電壓過沖范圍:500-4000V:+10%;(800V以下時按dv
- 功率循環測試系統概述該系統是一套動態綜合測試系統、測試參數多、精度高、具有過流、過熱、水壓不足等保護功能。具有連續工作的特點,測試程序由計算機控制,程序設定完成后可自動測試, 系統采用內控和外控兩種方式。便于工作人員操作。測試方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9: 200 及GB4023-83 等相關標準。采用計算機記錄測試結果,并轉化為EXCEL文件進行處理。參數條件加熱
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